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高性能DIFEM模组技术
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发布时间: 2024-04-28 15:28:47 剩余时间: 352天
需求编号
FT5775940055516160
发布者
张莹莹
需求状态
待解决
意向投入
¥5,000,000元
联系方式
173xxxx8081 【点击查看】
1、需求背景、现状:
射频前端行业是我国集成电路行业中对国外依存度较高的细分领域之一,特别在5G高集成度模组市场,由美日企业占据主导地位,也占领我国大部分的市场份额。为了进一步缩小与境外行业龙头厂商的差距,顺应我国射频前端芯片发展的战略需要,逐步降低进口依赖,芯睿微电子(昆山)有限公司面向移动终端射频前端领域,进行射频前端分集接收模组DiFEM的研发及产业化。DIFEF模组由射频开发芯片和滤波器集成。
2、所要解决的技术问题:
(1)射频开关多路同时切换的驱动能力和切换时间问题
射频开关芯片在多路同时切换时,有多个开关晶体管的偏置电压会发生大的变化,导致模拟电路短时间承受的负载较重,切换的时间会大大延长。如何提高多路切换的速率,提高切换时间,需要新的技术来实现。
(2)模组封装可靠性问题
由于DiFEM需要集成开关和多个滤波器,受限于芯片面积和成本,已经无法使用分立电感电容来进行滤波器的匹配。需要新的技术实现芯片设计的灵活性和准确性,另一方面,还需要提高模组的封装集成度使模组达到如下技术指标。
3、预期达到的效果(技术指标、规格等):
DIFEM模组指标达到:插入损耗:Band 66<2.4dB,Band 25 < 2.2dB, Band < 3 2.2dB,Band 26 < 1.9dB, Band 7 < 2.1dB , Band 8 < 2.1dB , Band 40 < 2.3dB, Band 41 < 2.9dB;带外抑制:Band 66>42dB,Band 25 > 38dB, Band 3 > 48dB,Band 26 > 36dB, Band 7 > 36dB , Band 8 > 38dB , Band 40 > 38dB, Band 41 > 33dB。
技术领域
电子信息
需求类型
关键技术研发
有效期至
2025-05-01
合作方式
合作开发
需求来源
所在地区
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